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首頁 >FCD620N60ZF>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
FCD620N60ZF	文件：353.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.62Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：353.81 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
FCD620N60ZF	文件：625.15 Kbytes Page：9 Pages	FCD620N60Z FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V 7.3 A 620 m廓文件：625.15 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FCD620N60ZFCT-ND	文件：625.15 Kbytes Page：9 Pages	FCD620N60Z FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V 7.3 A 620 m廓文件：625.15 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
FCD620N60ZF	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET? II，F(xiàn)RFET?，600 V，7.3 A，620 mΩ，DPAK SuperFET? II MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié)（SJ）MOSFET 系列產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化傳導(dǎo)損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。 ?TJ= 150oC 時(shí)為 650 V\n?最大值 RDS(on) = 620 mΩ\n?超低柵極電荷（典型值Qg = 20nC）\n?低有效輸出電容（典型值Coss.eff = 97 pF）\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?提高靜電放電能力/符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
DC
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
7.3
PD Max (W)：
89
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
620
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
20
Ciss Typ (pF)：
855
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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