isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

無錫固電

N-Channel SuperFET? II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

功率 MOSFET，N 溝道，SUPERFET?，Easy Drive，600 V，10.2 A，380 mΩ，DPAK

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 ?TJ = 150°C 時(shí)為 650 V\n?RDS(on)最大值 = 380 mΩ\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 34 nC )\n?低有效輸出電容（典型值 Coss.eff = 97 pF )\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測(cè)試;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體