isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

無錫固電

N 溝道 SuperFET? II MOSFET

SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項技術(shù)專用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 ?RDS(on) = 0.259 Ω（典型值）\n?超低柵極電荷（典型值 Qg = 58 nC)\n?低 Eoss（典型值 5.4 uJ @ 400V)\n?低有效輸出電容（典型值 Coss(eff.) = 240 pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

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無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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