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FCA20N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 溝道，SuperFET?，F(xiàn)RFET?， 600V，20A，190mΩ，TO-3P SuperFET?MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體第一代利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET 系列產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)專用于最小化傳導(dǎo)損耗并提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET產(chǎn)品非常適合開關(guān)電源應(yīng)用，如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX電源及工業(yè)電源應(yīng)用。SuperFET FRFET?MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。 ?650V @TJ = 150°C\n?典型值RDS(on) = 150mΩ\n?快速恢復(fù)類型 ( trr = 160ns )\n?超低柵極電荷（典型值Qg = 75nC )\n?低有效輸出電容（典型值Coss.eff = 165pF )\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
FCA20N60_F109	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立 MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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