TTL 輸入，雙反向輸出，峰值 5A 汲電流，5A 源電流，低壓側(cè)門極驅(qū)動器

FAN3213 和 FAN3214 系列雙通道 4 A 柵極驅(qū)動器設(shè)計為通過在短開關(guān)間隔內(nèi)提供高峰值電流脈沖，驅(qū)動低端開關(guān)應(yīng)用中的 N 溝道增強模式 MOSFET。都提供 TTL 輸入閾值。內(nèi)部電路可使輸出保持低電平狀態(tài)，直到電源電壓進入工作范圍，從而提供欠壓閉鎖功能。此外，此類驅(qū)動器在 A 和 B 通道之間提供了匹配的內(nèi)部傳播延遲，適用于要求具有嚴(yán)格計時的雙柵極驅(qū)動應(yīng)用，如同步整流器。這樣可并聯(lián)兩個驅(qū)動器，從而有效地使驅(qū)動單 MOSFET 的電流能力增加一倍。 FAN3213/14 驅(qū)動器內(nèi)置用于最終輸出級的 MillerDrive? 架構(gòu)。這一雙極 MOSFET 組合可在 MOSFET 導(dǎo) ?業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列\(zhòng)n?4.5 到 18 V 工作范圍\n?5 A 峰值灌電流/源電流，VDD = 12 V\n?4.3 A 灌電流/2.8 A 源電流，VOUT = 6 V\n?TTL 輸入閥值\n?雙獨立驅(qū)動器的兩個版本：\n?雙通道反向(FAN3213)\n?雙通道同相 (FAN3214)\n?無輸入時內(nèi)部電阻關(guān)閉驅(qū)動器\n?MillerDrive? 技術(shù)\n?帶 2.2 nF 負(fù)載時，典型上升/下降時間為 12 ns/9 ns\n?典型傳播延遲（低于20ns）在1ns內(nèi)與其他通道匹配\n?并聯(lián)通道可使電流能力增加一倍\n?標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 封裝\n?額定環(huán)境溫度為 -40℃ 到 +1;

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安森美半導(dǎo)體

雙通道 4 A 高速，低端柵極驅(qū)動器

FAN3213 系列雙通道 4A 柵極驅(qū)動器設(shè)計為通過在短開關(guān)間隔內(nèi)提供高峰值電流脈沖，驅(qū)動低側(cè)開關(guān)應(yīng)用驅(qū)動中的 N 溝道增強型 MOSFET。都提供 TTL 輸入閾值。內(nèi)部電路可使輸出保持低電平狀態(tài)，直到電源電壓進入工作范圍，從而提供欠壓鎖定功能。此外，此類驅(qū)動器在 A 和 B 通道之間提供了匹配的內(nèi)部傳播延遲，適用于要求具有嚴(yán)格計時的雙柵極驅(qū)動應(yīng)用，如同步整流器。這樣可并聯(lián)兩個驅(qū)動器，從而有效地使驅(qū)動單 MOSFET 的電流能力增加一倍。FAN3213/14 驅(qū)動器內(nèi)置用于最終輸出級的 MillerDrive? 架構(gòu)。這一雙極 MOSFET 組合可在 MOSFET 開/關(guān)過程的米勒平臺效應(yīng) ?業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列\(zhòng)n?4.5 到 18 V 工作范圍\n?5 A 峰值灌電流/源電流，VDD = 12 V\n?4.3 A 灌電流/2.8 A 源電流，VOUT = 6 V\n?TTL 輸入閥值\n?雙獨立驅(qū)動器的兩個版本：- 雙通道反相 (FAN3213) - 雙通道同相 (FAN3214)\n?無輸入時內(nèi)部電阻關(guān)閉驅(qū)動器\n?MillerDrive? 技術(shù)\n?帶 2.2 nF 負(fù)載時，典型上升/下降時間為 12 ns/9 ns\n?典型傳播延遲（低于 20ns）在 1ns 內(nèi)與其他通道匹配\n?并聯(lián)通道可使電流能力增加一倍\n?標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 封裝\n?額定環(huán)境溫度為 -40℃ 到;

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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