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F3S49092	文件：471.1 Kbytes Page：14 Pages	20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ohm, Logic Level, Complementary Power MOSFET 文件：471.1 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
F3S49092	文件：300 bytes Page：1 Pages	20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ohm, Logic Level, Complementary Power MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
RF3S49092SM	文件：471.1 Kbytes Page：14 Pages	20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ohm, Logic Level, Complementary Power MOSFET 文件：471.1 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
RF3S49092SM	文件：244.05 Kbytes Page：13 Pages	20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ohm, Logic Level, Complementary Power MOSFET These complementary power MOSFETs are manufactured using an advanced MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as swit 文件：244.05 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	INTERSIL	INTERSIL

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