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|---|---|---|---|---|
F2248 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime 文件：35.8 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | POLYFET | POLYFET | |
Systeme disolement thermique 文件：74.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | HAMMOND | ||
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE 文件：245.61 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司 | HAMMOND | ||
IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 2.05V@IC= 6A · Pb-free lead plating, RoHS compliant APPLICATIONS · Motor Controls · SMPS · Inverter 文件：390.44 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ISC 無錫固電 | ISC |
詳細參數(shù)
- 型號：
F2248
- 制造商：
POLYFET
- 制造商全稱：
Polyfet RF Devices
- 功能描述：
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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IDT/RENESAS |
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VFQFPN |
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IDT |
24+ |
QFN |
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