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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
F1206L350SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AITSEMI 創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
F1206L380SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AITSEMI 創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
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F1206L450SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AITSEMI 創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
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F1206L600SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AITSEMI 創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
F1206L700SL-06	文件：221.07 Kbytes Page：3 Pages	SMD PPTC RESETTABLE FUSE Product Features: Small surface mountable, Solid state, Faster time to trip than standard SMD devices, Lower resistance than standard SMD devices 文件：221.07 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	AITSEMI 創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
F1207	文件：37.99 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 20 Watts Push - Pull Package Style AQ HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, 文件：37.99 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	POLYFET	POLYFET
F1208	文件：38.31 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? 40Watts Gemini Package Style AK HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, 文件：38.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	POLYFET	POLYFET
F1209	文件：36.79 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime 文件：36.79 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	POLYFET	POLYFET

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技術(shù)參數(shù)

Frequency Range (MHz)：
30 - 150
Supply Voltage (V)：
4.75 - 5.25
Pkg. Type：
VFQFPN
Lead Count (#)：
28
Output IP3 (dBm)：
48
Gain (dB)：
22
Gain Resolution (dB)：
0.25
Noise Figure (dB)：
2.2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市粵科源興科技有限公司	F1206HI1500V063TM	AEM	13+		2558	原裝分銷	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	F1206B2R00FWTR	AVX	24+	原廠封裝	3000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市錦達(dá)世紀(jì)科技有限公司	F1206SB5000V032TM	AEM	2014+	1206	86000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	F1203M	A	24+	ZAN-5	86		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	F1205S-1W	MORNSUN	17+	SIP	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	F1209	POLYFET	23+	高頻管	1200	專營高頻管模塊,全新原裝!	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	F1206A1R00FWTR	AVX	24+/25+		3000	原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	F1206FA7000V024T	AEM	2016+	SMT1206	9000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	F1206SB4000V032TM	AEM	25+	SMD	26000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	F1209T-1W	MORNSUN	23+	模塊	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)

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