TSOT23-5封裝的高效LED升壓驅(qū)動

EUP2586是一款專用于白光LED陣列的高頻升壓驅(qū)動芯片。其內(nèi)置的0.19Ω功率管和2.0A的電流極限使得EUP2586能為7~10吋LCD面板提供背光驅(qū)動（驅(qū)動13并3/4串白光LED陣列）。EUP2586采用1MHz固定頻率電流控制模式升壓架構(gòu)，通過設(shè)定外部反饋電阻上電壓為200mV，使得EUP2586既能精確的控制LED輸出電流，同時保證了驅(qū)動電路高效特性。\nEUP2586內(nèi)置輸出過壓保護功能，利用SW引腳監(jiān)測輸出電壓，當(dāng)出現(xiàn)LED開路時，IC能自動關(guān)斷實現(xiàn)保護。同時IC內(nèi)置多種保護措施，如：軟啟動，過流保護，過溫保護和輸入欠壓保護。\nEUP2586采用薄型TSOT23-5封裝，為 ?輸入電壓范圍：2.6V~5.5V\n?內(nèi)置0.19Ω，18V功率開關(guān)\n?峰值效率達93%\n?芯片表面溫度低@ILED=180mA（VIN=3.6V）\n?1MHz開關(guān)頻率\n?2A電流極限\n?內(nèi)置LED開路保護\n?內(nèi)置軟啟動功能\n?兼容PWM和DC兩種調(diào)光方式\n?TSOT23-5封裝\n?符合RoHS規(guī)范及Pb-Free;

Eutech

德信科技

Small Package, High Performance, Asynchronies Boost for WLED Driver

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EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

1024 x 8-Bit n-MOS EEPROM with I2C-Bus Interface

The INA2586 is a 8-Kbit (1024 x 8-bit) n-MOS floating gate electrically erasable programmable read only memory (EEPROM). IC works in systems with serial I2C-bus. Up to two INA2586 devices may be connected to the I2C-bus.The programming of the array is implemented by electron’s tunneling. The progr

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INTEGRAL

Integral Corp.

Silicon N-Channel MOS FET

Silicon N-Channel MOS FET Features ? Low on-resistance ? RDS(on)= 7 m typ. ? High speed switching ? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Application High speed power switching

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HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

1024 x 8-Bit n-MOS EEPROM with I2C-Bus Interface

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KODENSHI

可天士