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EMD6	文件：516.34 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d6/marking.html">D6；Package：MET6；NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：516.34 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
EMD6	文件：66.65 Kbytes Page：2 Pages	絲印：D6；Package：MET6；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：66.65 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
EMD6	文件：373.8 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d6/marking.html">D6；Package：MET6；Packaging specifications surface mounting type 文件：373.8 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
EMD6	文件：465.67 Kbytes Page：1 Pages	DIGITAL TRANSISTOR (NPN PNP) FEATURES ● DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. ● Transistor elements are independent, eliminating interference. ● Mounting cost and area can be cut in half. 文件：465.67 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	HTSEMI 金譽半導(dǎo)體	HTSEMI
EMD6	文件：7.742 Mbytes Page：5 Pages	Dual Digital Transistors (NPNPNP) Dual Digital Transistors (NPN+PNP) FEATURES ● DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. ● Transistor elements are independent, eliminating interference. ● Mounting cost and area can be cut in half. 文件：7.742 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
EMD6	文件：517.02 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d6/marking.html">D6；Package：MET6；NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：517.02 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
EMD6	文件：1.89696 Mbytes Page：11 Pages	絲印：D6；Package：MET6；General purpose (dual digital transistor) 文件：1.89696 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
EMD60N15E	文件：230.64 Kbytes Page：6 Pages	N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 150V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 43A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD6_15	文件：1.89696 Mbytes Page：11 Pages	General purpose (dual digital transistor) 文件：1.89696 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	ROHM 羅姆	ROHM
EMD60N10A	文件：231.64 Kbytes Page：6 Pages	N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：231.64 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技術(shù)參數(shù)

封裝：
EMT6
包裝數(shù)量：
8000
最小獨立包裝數(shù)量：
8000
包裝形態(tài)：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
NPN+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
4.7
Input resistance R1 2 [kΩ]：
4.7
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-50
Collector current(continuous) IC2[A]：
-0.1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA143T / DTC143T
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	EMD6	CJ/長電	2021+	SOT-563	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價
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更多EMD6供應(yīng)商更新時間2026-1-19 14:03:00

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