EG3012 大功率MOS管、IGBT管柵極驅(qū)動專用芯片

??EG3012是一款高性價比的大功率MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)時控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動電路，專用于無刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動電路。\n ??EG3012高端的工作電壓可達(dá)100V，Vcc 的電源電壓范圍寬11V～30V，靜態(tài)功耗低僅4.5mA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導(dǎo)通，輸入通道HIN和LIN 內(nèi)建了一個10K 下拉電阻，在輸入懸空時使上、下功率MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出結(jié)構(gòu)采用半橋式達(dá)林頓管結(jié)構(gòu),采用SOP8 封裝。 ·高端懸浮自舉電源設(shè)計，耐壓可達(dá)100V\n ·內(nèi)建死區(qū)控制電路\n ·電源電壓欠壓關(guān)斷輸出\n ·自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時導(dǎo)通\n ·采用半橋達(dá)林頓管輸出結(jié)構(gòu)具有大電流柵極驅(qū)動能力\n ·專用于無刷電機(jī)N 溝道MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動\n ·HIN 輸入通道控制高端HO 輸出\n ·LIN 輸入通道控制低端LO 輸出\n ·外圍器件少\n ·靜態(tài)電流小：4.5mA\n ·封裝形式：SOP8;

EGmicro

屹晶微電子

HIgh-Power MOS tube driver chip

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EGMICRO

屹晶微電子

低壓60V半橋驅(qū)動芯片

EG3012S 是一款高性價比的大功率 OS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)時控制電路、欠壓關(guān)斷電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動電路，專用于無刷電機(jī)控制器中的驅(qū)動電路。高端工作電壓可達(dá) 80V，Vcc 的電源電壓范圍寬 11V - 30V，靜態(tài)功耗低僅 4.5mA。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導(dǎo)通，輸入通道 HIN 和 LIN 內(nèi)建了一個 15K 下拉電阻，在輸入懸空時使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出結(jié)構(gòu)采用半橋式達(dá)林頓管結(jié)構(gòu)，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計，耐壓可達(dá) 80V\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 電源電壓欠壓關(guān)斷輸出\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時導(dǎo)通\n? 采用半橋達(dá)林頓管輸出結(jié)構(gòu)具有大電流柵極驅(qū)動能力\n? 專用于無刷電機(jī) N 溝道 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動\n? HIN 輸入通道高電平有效，控制高端 HO 輸出\n? LIN 輸入通道高電平有效，控制低端 LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 靜態(tài)電流?。?.5mA\n? 封裝形式：SOP - 8;

EGmicro

屹晶微電子

THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS

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THINKISEMI

思祁半導(dǎo)體

THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS

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THINKISEMI

思祁半導(dǎo)體

6 PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER

Description The EL301X(P5), EL302X(P5) and EL305X(P5) series of devices each consist of a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon random phase photo Triac. They are designed for interfacing between electronic controls and power triacs to control resistive and induc

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EVERLIGHT

臺灣億光