MOS驅(qū)動(dòng)芯片

是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高壓、高速功率器件的三相柵極驅(qū)動(dòng)電路，包含三個(gè)獨(dú)立半橋驅(qū)動(dòng)電路。內(nèi)置死區(qū)時(shí)間、輸入信號(hào)濾波、欠壓保護(hù)和過流保護(hù)功能，出現(xiàn)異?？申P(guān)斷六通道輸出，適應(yīng) 5V 或 3.3V 輸入電壓，輸出電流能力 + 0.2A /- 0.35A，用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，采用 SOP28L 封裝 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n? 適應(yīng) 5V 或者 3.3V 輸入電壓\n? 輸出電流能力 + 0.2A/-0.35A\n? 欠壓保護(hù)\n? 使能控制\n? 輸入輸出相反\n? 外部設(shè)置清理時(shí)間\n? 高低端通道匹配\n? 過流保護(hù)關(guān)斷六通道輸出\n? 集成三個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n? 封裝形式：SOP28L;

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屹晶微電子

Three-phase semI-brIdge circuit drive chip

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650V三相半橋驅(qū)動(dòng)芯片

EG21364 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高壓、高速功率器件的三相柵極驅(qū)動(dòng)電路，主要包含三個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)電路。內(nèi)置死區(qū)時(shí)間，可確保功率管上下橋臂不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。內(nèi)置輸入信號(hào)濾波，防止噪聲干擾。提供外部使能控制可同時(shí)關(guān)斷六通道輸出。此外，它還具有欠壓保護(hù)和過流保護(hù)功能，出現(xiàn)異常時(shí)立即關(guān)斷六通道輸出。 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 650V\n? 適應(yīng) 5V 或者 3.3V 輸入電壓\n? 輸出電流能力 + 0.2A/-0.35A\n? 欠壓保護(hù)\n? 使能控制\n? 輸入輸出同相\n? 外部設(shè)置清理時(shí)間\n? 高低端通道匹配\n? 過流保護(hù)關(guān)斷六通道輸出\n? 集成三個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n? 封裝形式：SOP28\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn);

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600V三相半橋驅(qū)動(dòng)芯片

是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高壓、高速功率器件的三相柵極驅(qū)動(dòng)電路，主要包含三個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)電路，具備欠壓保護(hù)、輸入噪聲濾波、死區(qū)時(shí)間控制、過流保護(hù)等功能，適應(yīng) 5V 或 3.3V 輸入電壓，輸出電流能力 + 0.2A /- 0.35A，應(yīng)用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)等，采用 SOP28L 封裝 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n? 適應(yīng) 5V 或者 3.3V 輸入電壓\n? 輸出電流能力 + 0.2A/-0.35A\n? 欠壓保護(hù)\n? 使能控制\n? 輸入輸出相反\n? 外部設(shè)置清理時(shí)間\n? 高低端通道匹配\n? 過流保護(hù)關(guān)斷六通道輸出\n? 集成三個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? 自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通\n? 封裝形式：SOP28\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn);

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