Band SD MOS diode drive chip

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EGMICRO

屹晶微電子

帶SD功能高壓600V2A半橋驅(qū)動(dòng)芯片

EG2104 是一款高性價(jià)比的帶 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專用于無刷電機(jī)控制器、電源 DC - DC 中的驅(qū)動(dòng)電路。高端工作電壓可達(dá) 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 2.8V - 20V，靜態(tài)功耗小于 1uA。芯片輸入通道 IN 內(nèi)建 200K 下拉電阻，SD 內(nèi)建 200K 下拉電阻，輸出電流能力為 IO+/-2/2.5A，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓\n? 最高頻率支持 500KHZ\n? 低端 VCC 電壓范圍 2.8V - 20V\n? 輸出電流能力 IO+/- 2A/2.5A\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? SD 輸入通道低電平有效，關(guān)閉 HO、LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 靜態(tài)電流小于 1uA，非常適合電池場合\n? 封裝形式：SOP - 8;

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MOS diode drive chip

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MOS diode drive chip

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屹晶微電子

帶SD功能600V驅(qū)動(dòng)芯片

EG2104M 是一款高性價(jià)比的帶 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專用于無刷電機(jī)控制器、電源 DC - DC 中的驅(qū)動(dòng)電路。高端工作電壓可達(dá) 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V - 20V。該芯片輸入通道 IN 內(nèi)建了一個(gè) 200K 下拉電阻，SD 內(nèi)建了一個(gè) 200K 下拉電阻，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流能力為 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓\n? 最高頻率支持 500KHZ\n? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護(hù)\n? 低端 VCC 電壓范圍 10V - 20V\n? 輸出電流能力 IO+/- 0.3A/0.6A\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? SD 輸入通道低電平有效，關(guān)閉 HO、LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 封裝形式：SOP8\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn);

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帶SD功能600V驅(qū)動(dòng)芯片

EG2104S 是一款高性價(jià)比的帶 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)時(shí)控制電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，專用于無刷電機(jī)控制器、電源 DC - DC 中的驅(qū)動(dòng)電路。高端工作電壓可達(dá) 600V，低端 Vcc 的電源電壓范圍寬 10V - 20V。該芯片輸入通道 IN 內(nèi)建了一個(gè) 200K 下拉電阻，SD 內(nèi)建了一個(gè) 200K 下拉電阻，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流能力為 IO+/-1.0/1.5A，采用 SOP8 封裝。 ? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V\n? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓\n? 最高頻率支持 500KHZ\n? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護(hù)\n? 低端 VCC 電壓范圍 10V - 20V\n? 輸出電流能力 IO+/- 1.0A/1.5A\n? 內(nèi)建死區(qū)控制電路\n? SD 輸入通道低電平有效，關(guān)閉 HO、LO 輸出\n? 外圍器件少\n? 封裝形式：SOP8\n? 無鉛無鹵符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn);

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