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EC739435	文件：311.18 Kbytes Page：8 Pages	-30V,-5.3A P-Channel MOSFET 文件：311.18 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	E-CMOS 飛虹高科	E-CMOS
EC739435	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V, -5.3A P-channel MOSFET The EC739435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge .It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). ?◆ VDS = -30V,ID = -5.3A \n? ???????RDS(ON) < 85m? @ VGS=-4.5V\n?? ??????RDS(ON) < 53m? @ VGS=-10V\n? ??◆ ?High Power and current handing capability\n?◆ ?Lead free product is acquired\n?◆ ?Surface Mount Package\n?;	E-CMOS 飛虹高科	E-CMOS
EC739435M1R	文件：311.18 Kbytes Page：8 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/739435/marking.html">739435；Package：SOP-8L；-30V,-5.3A P-Channel MOSFET 文件：311.18 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	E-CMOS 飛虹高科	E-CMOS
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