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DTA124E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	DTA124E
參數(shù)屬性	DTA124E 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
功能描述	Bias Resistor Transistor
封裝外殼	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	266.2 Kbytes
頁面數(shù)量	2 頁
生產(chǎn)廠商	FS
網(wǎng)址	網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二
更新時間	2026-1-21 12:00:00
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DTA124E規(guī)格書詳情

Bias Resistor Transistor

NPN Silicon Surface Mount Transistor

with Monolithic Bias Resistor Network

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space and Component Count

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
DTA124ECAT116
制造商：
Rohm Semiconductor
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP - 預偏壓
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
56 @ 5mA，5V
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SST3
描述：
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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