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NDSH10120C-F155	文件：292.94 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?strong>DSH10120C；Package：TO-247-2LD；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil 文件：292.94 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多DSH10120C供應(yīng)商更新時間2026-1-18 22:59:00