3.3V Single-Piece 4Mb Nonvolatile SRAM with Clock

Features ?Single-Piece, Reflowable, 27mm x 27mm BGA Package Footprint ?Internal Manganese Lithium Battery and Charger ?Integrated Real-Time Clock ?Unconditionally Write-Protects the Clock and SRAM when VCCis Out-of-Tolerance ?Automatically Switches to Battery Supply when VCCPo

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MAXIM

美信

3.3V Single-Piece 4Mb Nonvolatile SRAM with Clock

Features ?Single-Piece, Reflowable, 27mm x 27mm BGA Package Footprint ?Internal Manganese Lithium Battery and Charger ?Integrated Real-Time Clock ?Unconditionally Write-Protects the Clock and SRAM when VCCis Out-of-Tolerance ?Automatically Switches to Battery Supply when VCCPo

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美信

3.3V、單芯片、4Mb非易失SRAM，帶有時(shí)鐘

DS3050W由一個(gè)靜態(tài)RAM、一個(gè)非易失(NV)控制器、一個(gè)2000年兼容的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和一個(gè)內(nèi)置的可充電鋰錳(ML)電池組成。這些組件封裝在一個(gè)表面安裝的256焊球BGA模塊中。VCC加在模塊上時(shí)，它對(duì)ML電池進(jìn)行充電，同時(shí)為時(shí)鐘和SRAM供電，并允許修改時(shí)鐘寄存器和SRAM內(nèi)容。一旦VCC掉電或超出容限，控制器對(duì)存儲(chǔ)器內(nèi)容加以寫保護(hù)，改由電池為時(shí)鐘和SRAM供電。DS3050W還含有一個(gè)電源監(jiān)視器輸出(/RST)和一個(gè)用戶可編程的中斷輸出(/IRQ/FT)。 \n? 單片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封裝 \n? 內(nèi)置鋰錳電池和充電器 \n? 集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘 \n? VCC超出容限后無條件寫保護(hù)時(shí)鐘和SRAM \n? VCC失效后自動(dòng)切換至電池供電 \n? 復(fù)位輸出可用作CPU監(jiān)控 \n? 中斷輸出可用作CPU看門狗定時(shí)器 \n? 工業(yè)級(jí)溫度范圍(-40°C至+85°C);

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亞德諾

Package：256-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 256BGA

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