Demonstrates the Features of the DS28E80 IC

文件：5.87075 Mbytes 頁(yè)數(shù)：28 Pages

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美信

耐γ輻射1-Wire存儲(chǔ)器

DS28E80為用戶(hù)可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶(hù)存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)，每個(gè)存儲(chǔ)塊可寫(xiě)8次。DS28E80通過(guò)單觸點(diǎn)1-Wire?總線進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)速率或高速率通信。每片器件都擁有唯一的64位識(shí)別碼，由工廠寫(xiě)至芯片。通信符合1-Wire協(xié)議，在多器件的1-Wire網(wǎng)絡(luò)中，64位識(shí)別碼作為節(jié)點(diǎn)地址。我們的“安全給藥”視頻介紹如何利用Maxim安全產(chǎn)品保證遠(yuǎn)程給藥安全。\n\n ? 高耐γ輻射能力，允許用戶(hù)在醫(yī)療滅菌之前進(jìn)行編程制造或校準(zhǔn)數(shù)據(jù)\n? 承受高達(dá)75kGy (千戈瑞) γ輻射 \n? 可重編程248字節(jié)用戶(hù)存儲(chǔ)器\n\n\n? 較小的存儲(chǔ)塊大小，用戶(hù)存儲(chǔ)器編程較靈活 \n? 存儲(chǔ)器分為8字節(jié)存儲(chǔ)塊 \n? 每個(gè)存儲(chǔ)塊可寫(xiě)8次 \n? 每個(gè)存儲(chǔ)塊均提供用戶(hù)可編程寫(xiě)保護(hù)\n\n\n? 高級(jí)1-Wire協(xié)議，將接口減小為單觸點(diǎn) \n? 緊湊的封裝和單IO接口，減小電路板空間，增強(qiáng)可靠性 \n? 唯一的工廠編程64位識(shí)別碼 \n? 1-Wire標(biāo)準(zhǔn)速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信 \n? 工作范圍：3.3V ±10%，-40°C至;

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亞德諾

Demonstrates the Features of the DS28E80 IC

文件：5.87075 Mbytes 頁(yè)數(shù)：28 Pages

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美信

包裝：散裝 功能：EEPROM 類(lèi)別：開(kāi)發(fā)板，套件，編程器 評(píng)估和演示板及套件 描述：EVAL KIT FOR DS28E80

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Package：6-WDFN 裸露焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN

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亞德諾

Package：6-WDFN 裸露焊盤(pán)；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN

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