High voltage package that reduces system BOM

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LUMILEDS

8K x 8 Static RAM

DESCRIPTION The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static random access memory organized as 8192 words by eight bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 4.5V and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are used for device selec

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DALLAS

8K x 8 Static RAM

DESCRIPTION The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static random access memory organized as 8192 words by eight bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 4.5V and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are used for device selec

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DALLAS

8K x 8 Static RAM

DESCRIPTION The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static random access memory organized as 8192 words by eight bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 4.5V and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are used for device selec

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DALLAS

3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

可編程直流電源

DS2000系列開關(guān)式可編程直流電源是采用PWM技術(shù)的高頻開關(guān)式直流電源，模塊化設(shè)計(jì)，采用先進(jìn)的DSP數(shù)字控制技術(shù)，具有恒壓、恒流、恒功率模式輸出，可自動交叉變換，維持控制與保護(hù)兼顧特性，確保直流電源輸出的高精度、低紋波、電壓電流動態(tài)響應(yīng)速度快，且效率高達(dá)93%；與傳統(tǒng)的可控硅電源相比較，高頻開關(guān)式直流電源具有體積小，重量輕，紋波小，功率因數(shù)高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，特別是高電壓輸出穩(wěn)定性尤其明顯；產(chǎn)品主要定位于電子電力生產(chǎn)、蓄電池行業(yè)、PCB板制造行業(yè)及通訊、PLC供電、機(jī)電老化試驗(yàn)、直流電機(jī)測試、自動測試系統(tǒng)整合、電池充電及模擬、混合動力汽車與光伏逆變器測試研究單位、實(shí)驗(yàn)室對高精度直流電 ◇采用高速DSP進(jìn)行PID運(yùn)算,直接輸出PWM,模塊化設(shè)計(jì)，高功率密度、體積小、大大降低故障率;\n◇控制電路采用高速CPU,穩(wěn)壓精度高，紋波小;\n◇采用16bit高速ADC,快速精確測量電壓、電流值;\n◇具有恒壓、恒流、恒功率模式輸出，可自動交叉變換，維持控制與保護(hù)兼顧特性;\n◇具有過壓、過流、過溫、短路保護(hù)功能，在系統(tǒng)中，可開啟過壓(OVP),過流(OCP),并可對數(shù)值進(jìn)行修改;\n◇具有9組記憶，可以將常用的參數(shù)(電壓、電流)設(shè)定，方便使用時(shí)調(diào)用，一次可執(zhí)行100組不同電壓、電流、 \n◇功率、上升時(shí)間、運(yùn)行時(shí)間設(shè)定，并可連續(xù)做999999次循環(huán)測試。運(yùn)行時(shí)間最短可以設(shè)定;

JETHLEY

吉事勵電子

3.3V、單芯片、8Mb非易失SRAM

DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由靜態(tài)RAM (SRAM)、NV控制器、內(nèi)部可充電錳鋰(ML)電池組成。這些元件可以封裝在256焊球、BGA表貼模塊中。只要VCC作用到模塊上，就對ML電池充電，利用外部電源為SRAM供電，并允許修改SRAM的內(nèi)容。VCC斷電或超出容許范圍時(shí)，控制器對SRAM的內(nèi)容寫保護(hù)，并用電池為SRAM供電。DS2065W還包含電源監(jiān)視輸出/RST，可以用作微處理器的CPU監(jiān)控。 \n? 單片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封裝 \n? 內(nèi)置ML電池與充電器 \n? VCC超出容許范圍時(shí)無條件寫保護(hù)SRAM \n? 出現(xiàn)VCC電源故障時(shí)，自動切換到電池供電 \n? 內(nèi)置電源監(jiān)視器，用來檢測低于VCC標(biāo)稱值(3.3V)的電源故障 \n? 復(fù)位輸出可用作微處理器的CPU監(jiān)視器 \n? 工業(yè)級溫度范圍(-40°C至+85°C);

ADI

亞德諾

8K x 8 Static RAM

ADI

亞德諾

Package：256-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA

AD

亞德諾