Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

文件：430.18 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages

MAXIM

美信

單芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一個(gè)靜態(tài)RAM (SRAM)，一個(gè)NV控制器和一個(gè)內(nèi)部可充電錳鋰(ML)電池構(gòu)成。這些元件封裝在表貼模塊中，采用256焊球BGA封裝。模塊VCC上電后，ML電池開始充電，SRAM由外部電源供電，SRAM內(nèi)容可修改。VCC斷電或超出容限時(shí)，控制器對SRAM的內(nèi)容進(jìn)行寫保護(hù)，并由電池對SRAM供電。DS2030有兩種版本，分別提供5%和10%的電源監(jiān)控跳變點(diǎn)。DS2030還具有一個(gè)電源監(jiān)控輸出，/RST指示，可用作微處理器的CPU監(jiān)視器。 \n? 單片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封裝 \n? 內(nèi)部ML電池和充電器 \n? VCC超出容限后，對SRAM無條件寫保護(hù) \n? VCC電源失效后，自動切換到電池供電 \n? 內(nèi)部電源監(jiān)控，檢測電源是否低于標(biāo)稱VCC (5V)的5%或10% \n? 復(fù)位輸出可用作微處理器的CPU監(jiān)視器 \n? 工業(yè)級溫度范圍(-40°C至+85°C);

ADI

亞德諾

單芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一個(gè)靜態(tài)RAM (SRAM)，一個(gè)NV控制器和一個(gè)內(nèi)部可充電錳鋰(ML)電池構(gòu)成。這些元件封裝在表貼模塊中，采用256焊球BGA封裝。模塊VCC上電后，ML電池開始充電，SRAM由外部電源供電，SRAM內(nèi)容可修改。VCC斷電或超出容限時(shí)，控制器對SRAM的內(nèi)容進(jìn)行寫保護(hù)，并由電池對SRAM供電。DS2030有兩種版本，分別提供5%和10%的電源監(jiān)控跳變點(diǎn)。DS2030還具有一個(gè)電源監(jiān)控輸出，/RST指示，可用作微處理器的CPU監(jiān)視器。 \n? 內(nèi)部ML電池和充電器 \n? VCC電源失效后，自動切換到電池供電 \n? 復(fù)位輸出可用作微處理器的CPU監(jiān)視器 \n? 工業(yè)級溫度范圍(-40°C至+85°C);

ADI

亞德諾

Package：256-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

AD

亞德諾

Package：256-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

AD

亞德諾

Package：256-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

AD

亞德諾