3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

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MAXIM

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Dual Digital Potentiometer Chip

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MAXIM

美信

Dual Digital Potentiometer

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MAXIM

美信

SEMICONDUCTORS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

Fixed Inductors for Surface Mounting

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TOKO

Ferrite Inductors

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TOKO

8M非易失SRAM

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。 ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護\n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作\n? 70ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1265Y) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)\n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND;

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3.3V、8Mb非易失SRAM

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。 ? 在沒有外部電源時下最少可以保存數(shù)據(jù)10年 \n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護 \n? 沒有寫次數(shù)限制 \n? 低功耗CMOS操作 \n? 100ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài) \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(IND)溫度范圍;

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8M非易失SRAM

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。 ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護\n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作\n? 70ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1265Y) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)\n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND;

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亞德諾

Package：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

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