1024k非易失SRAM

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1245器件可以用來替代現(xiàn)有的128k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。PowerCap模塊封裝的DS1245器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額 ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護\n? 替代128k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM或閃存\n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS\n? 70ns的讀寫存取時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1245Y) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1245AB)\n? 可選的工業(yè)級溫度范圍為-40°C至+85°C，指定為IND\n? JEDEC標準的32引腳DIP封裝 \n? PowerCap模塊(PCM)封裝\n? 表面貼裝模塊\n? 可更換的即時安裝PowerC;

ADI

亞德諾

Package：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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