3.3V 256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1230W 3.3V 256k Nonvolatile SRAM is a 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAM organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a cond

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3.3V、256k非易失SRAM

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電，寫保護將無條件使能、以防數(shù)據(jù)被破壞。 DIP封裝的DS1230W器件可以用來替代現(xiàn)有的32k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、28引腳DIP標準。DIP器件還與28256 EEPROM的引腳匹配，可直接替換并增強其性能。PowerCap模塊封裝的DS1230W器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SR ? 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護\n? 替代32k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM或閃存\n? 沒有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作 \n? 100ns的讀寫時間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND\n? JEDEC標準的28引腳DIP封裝 \n? PowerCap模塊(PCM)封裝\n? 表面貼裝模塊\n? 可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池 \n? 所有非易失SRAM器件提供標準引腳 \n? 分離的PowerCap用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸;

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