64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

64k Nonvolatile SRAM

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DALLAS

16K Nonvolatile SRAM

文件：258.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages

ARTSCHIP

64k Nonvolatile SRAM

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64k Nonvolatile SRAM

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16k非易失SRAM

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。 NV SRAM可以用來(lái)直接替代現(xiàn)有的2k x 8 SRAM，符合通用的單字節(jié)寬、24引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。器件還與2716 EPROM及2816 EEPROM的引腳排列匹配，可直接替換并增強(qiáng)其性能。該器件沒(méi)有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。 ? 在沒(méi)有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年\n? 掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)\n? 直接替代2k x 8易失靜態(tài)RAM或EEPROM \n? 沒(méi)有寫次數(shù)限制\n? 低功耗CMOS操作 \n? JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的24引腳DIP封裝 \n? 100ns的讀寫存取時(shí)間 \n? 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)\n? ±10% VCC工作范圍(DS1220AD) \n? 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1220AB) \n? 可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍，指定為IND;

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Package：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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Package：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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Package：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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