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首頁(yè) >DP110P03>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
DP110P03	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P MOSFET	Depuw 德普微電子	Depuw
TF110P03M	文件：2.62205 Mbytes Page：5 Pages	P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF110P03M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resistan 文件：2.62205 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	TUOFENG 拓鋒半導(dǎo)體	TUOFENG
TF110P03N	文件：2.83123 Mbytes Page：5 Pages	P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF110P03N combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resistan 文件：2.83123 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	TUOFENG 拓鋒半導(dǎo)體	TUOFENG
CEB110P03	文件：652.69 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -105.5A, RDS(ON) =5.8mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) =8.5mW @VGS = -4.5V. 文件：652.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CED110P03	文件：643.31 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -92A, RDS(ON) =6.0mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) =9.0mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant. 文件：643.31 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP110P03	文件：652.69 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -105.5A, RDS(ON) =5.8mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) =8.5mW @VGS = -4.5V. 文件：652.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

技術(shù)參數(shù)

ESD：
N
Config：
Single
VDS (V)：
-30
VGS (V)：
±20
ID (A)：
55
Vth (V)(Min/Typ/Max)：
1/1.5/2
Rdson(mΩ)(VGS10V Typ/Max)(VGS4.5V Typ/Max)(VGS2.5V Typ/Max)：
(6.9/8.5)(9.4/12.5)(-/-)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
上海金慶電子技術(shù)有限公司	DP-110-TRANSLUSCENT	3M	新		91	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	DP-110-TRANSLUSCENT	3M	2022+		87	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	DP110VHG50	NS	05+	QFP	69	自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨	詢價(jià)
深圳市信佳源電子有限公司	DP1110	IR	2012+	DIP4	5800	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	DP1110	INFINEON/英飛凌	2026+	DIP4	65248	百分百原裝現(xiàn)貨實(shí)單必成	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	DP1110	INFINEON/英飛凌	25+	DIP4	5800	全新原裝正品支持含稅	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	DP1110X	IR	23+	DIP4	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	DP1110X	IR	22+	DIP4	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	DP1110X	IR	23+	DIP4	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	DP1110X	IR	23+	DIP4	7000		詢價(jià)

更多DP110P03供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:05:00

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