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    DMTH6004SCT
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    文件：345.48 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages
    DIODES
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCT
    isc N-Channel MOSFET Transistor
    文件：305.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
    ISC
    無錫固電
    

    DMTH6004SCTB
    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor
    文件：298.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages
    ISC
    無錫固電
    

    DMTH6004SCTB
    60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    文件：546.77 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages
    DIODES
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCTB-13
    60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    文件：546.77 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages
    DIODES
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCTBQ
    60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    文件：554.33 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages
    DIODES
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCTBQ-13
    60V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    文件：554.33 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages
    DIODES
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCT
    60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high-efficiency power management applications.  Low Input Capacitance\nLow Input/Output Leakage;
    Diodes
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCTB
    60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.  Rated to 175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDSON – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;
    Diodes
    美臺半導(dǎo)體
    

    DMTH6004SCTBQ
    60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
    This MOSFET has been designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101, supported by a PPAP.  Rated to 175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow Qg – Minimizes Switching Losses;
    Diodes
    美臺半導(dǎo)體
    

    
            
    
		
        
    
            
    
                
    技術(shù)參數(shù)
    
            
    
            
      
            	
    • Automotive Compliant PPAP：
      No
    • Polarity：
      N
    • ESD Diodes：
      No
    • VDS：
      60 V
    • VGS：
      20 ±V
    • IDS @ TA = +25°C：
      N/A A
    • PD @ TA = +25°C：
      2.8 W
    • RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
      3.65 mΩ
    • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
      N/A mΩ
    • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
      N/A mΩ
    • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
      N/A mΩ
    • VGS (th) Max：
      4 V
    • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
      N/A nC
    • QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
      95.4 nC
    • Packages：
      TO220-3
    
            
    
        
    
            
    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
    
                
    



    DIODES/美臺
    		

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    TO-220
    		

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    24+
    		

    N/A
    		

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    美臺原廠超低價(jià)支持
    		
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    25+
    		

    TO220-3
    		

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    TO2203
    		

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    22+
    		

    TO2203
    		

    9000
    		

    原廠渠道,現(xiàn)貨配單
    		
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    Diodes Incorporated
    		

    2022+
    		

    TO-220-3
    		

    38550
    		

    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
    		
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    24+
    		

    TO220-3
    		

    47186
    		

    鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
    		
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            更新時(shí)間2026-1-22 15:40:00
        
    
        
    
          
    
            
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      <strike id="6dxzi"><object id="6dxzi"><label id="6dxzi"></label></object></strike>
      

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