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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
DMTH3002LPS | 30V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：458.12 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | |
DMTH3002LPS | 30V 175?C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：642.44 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | |
30V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：458.12 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | ||
30V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：458.12 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | ||
DMTH3002LPS | 30V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in power management and load switch. Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications\n<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed; | Diodes 美臺半導(dǎo)體 | Diodes |
技術(shù)參數(shù)
- Automotive Compliant PPAP：
No
- Polarity：
N
- ESD Diodes：
No
- VDS：
30 V
- VGS：
16 ±V
- IDS @ TA = +25°C：
N/A A
- PD @ TA = +25°C：
2.5 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
1.6 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2.5 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
- VGS (th) Max：
2 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
37 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
77 nC
- Packages：
PowerDI5060-8
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PowerDI5060-8 |
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PowerDI5060-8 |
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NA |
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DIODES/美臺 |
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POWERDI5060-8 |
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8PowerTDFN |
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DiodesZetex |
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原廠原包裝 |
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
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- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
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