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|---|---|---|---|---|
DMT8012LPS | 80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：569.02 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | |
DMT8012LPS | 80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：554.77 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | |
80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：554.77 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：569.02 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：554.77 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
DMT8012LPS | 80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. High Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\n????Lead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability; | Diodes 美臺半導體 | Diodes | |
80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Diodes 美臺半導體 | Diodes |
技術參數(shù)
- Automotive Compliant PPAP：
No
- Polarity：
N
- ESD Diodes：
No
- VDS：
80 V
- VGS：
20 ±V
- IDS @ TA = +25°C：
9 A
- PD @ TA = +25°C：
2.1 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
17 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
21 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
- VGS (th) Max：
3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
- Packages：
PowerDI5060-8
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PowerDI5060-8 |
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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