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    DMT8012LK3

    80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:605.67 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMT8012LK3

    80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:508.31 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMT8012LK3

    80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    Synchronous Rectifier\nBacklighting\nPower Management Functions\nDC-DC Converters;

    Diodes

    美臺半導(dǎo)體

    DMT8012LK3_17

    80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:508.31 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMT8012LK3-13

    80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:605.67 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMT8012LK3-13

    80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:508.31 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    技術(shù)參數(shù)

    • Automotive Compliant PPAP:

      No

    • Polarity:

      N

    • ESD Diodes:

      No

    • VDS:

      80 V

    • VGS:

      20 ±V

    • IDS @ TA = +25°C:

      N/A A

    • PD @ TA = +25°C:

      N/A W

    • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

      17 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

      22 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

      N/A mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

      N/A mΩ

    • VGS (th) Max:

      3 V

    • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

      15 nC

    • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

      34 nC

    • Packages:

      TO252 (DPAK)

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    更多DMT8012LK3供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 9:03:00

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