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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
DMT6015LPS | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.01 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.01 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
DMT6015LPS | 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and loadswitch. Thermally Efficient Package?–?Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\n<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications\nESD Protected Gate; | Diodes 美臺半導體 | Diodes | |
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：451.5 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
0.1 TO 6.0 GHz THRESHOLD DETECTOR 文件：288.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | TELEDYNE 華特力科 | TELEDYNE | ||
Omnidirectional Back Electret Condenser Microphone 文件：201.19 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | SOBERTON | SOBERTON |
技術參數(shù)
- Automotive Compliant PPAP：
No
- Polarity：
N
- ESD Diodes：
Yes
- VDS：
60 V
- VGS：
20 ±V
- IDS @ TA = +25°C：
N/A A
- PD @ TA = +25°C：
2.7 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
24 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
- VGS (th) Max：
2.5 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.9 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
18.9 nC
- Packages：
PowerDI5060-8
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PowerDI5060-8 |
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NA |
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