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    DMPH1006UPS

    12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:512.75 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMPH1006UPS-13

    12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:512.75 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMPH1006UPSQ

    12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:509.53 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMPH1006UPSQ-13

    12V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:509.53 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMPH1006UPS

    12V 175°C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;

    Diodes

    美臺半導(dǎo)體

    技術(shù)參數(shù)

    • Automotive Compliant PPAP:

      DMPH1006UPSQ

    • Polarity:

      P

    • ESD Diodes:

      No

    • VDS:

      12 V

    • VGS:

      8 ±V

    • IDS @ TA = +25°C:

      N/A A

    • PD @ TA = +25°C:

      3.2 W

    • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

      N/A mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

      6 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

      8 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

      N/A mΩ

    • VGS (th) Max:

      1 V

    • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

      72 nC

    • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

      N/A nC

    • Packages:

      PowerDI5060-8

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
    原裝
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    DFN5x6
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    DIODES/美臺
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    PowerDI5060-8
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    Diodes Incorporated
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    PowerDI5060-8
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    DIODES
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    22+
    NA
    12080
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    Diodes
    22+
    8PowerTDFN
    9000
    原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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    Diodes Incorporated
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    全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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    更多DMPH1006UPS供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 11:37:00

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