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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
DMP22D4UDA | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.8 Kbytes 頁數：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.8 Kbytes 頁數：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
DMP22D4UDA | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nVery Low Gate Threshold Voltage, -1.0V max\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nUltra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm; | Diodes 美臺半導體 | Diodes | |
ESD Protected Gate 文件：159.17 Kbytes 頁數：6 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：494.86 Kbytes 頁數：7 Pages | DIODES 美臺半導體 | DIODES | ||
Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：157.46 Kbytes 頁數：6 Pages | MSYSTEM 愛模 | MSYSTEM |
技術參數
- Automotive Compliant PPAP：
On Request*
- Polarity：
P+P
- ESD Diodes：
Yes
- VDS：
20 V
- VGS：
8 ±V
- IDS @ TA = +25°C：
0.33 A
- PD @ TA = +25°C：
0.31 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1900 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2400 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3400 mΩ
- VGS (th) Max：
1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.4 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
- Packages：
X2-DFN0806-6
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美臺 |
2447 |
SOT26 |
100500 |
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X2-DFN0806-3 |
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NA |
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X2-DFN0806-6 |
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SMD |
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- TD62308
- TD62308APG
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