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DMN63D1L	文件：534.82 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.82 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LT	文件：419.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ? Low On-Resistance: RDS(ON) ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? ESD Protected Gate ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AE 文件：419.29 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LT-13	文件：419.29 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/63d/marking.html">63D；Package：SOT-523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ? Low On-Resistance: RDS(ON) ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? ESD Protected Gate ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AE 文件：419.29 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LT-7	文件：419.29 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/63d/marking.html">63D；Package：SOT-523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ? Low On-Resistance: RDS(ON) ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? ESD Protected Gate ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AE 文件：419.29 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LV	文件：360.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ? Dual N-Channel MOSFET ? Low On-Resistance ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? ESD Protected up to 2kV ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AEC-Q101 St 文件：360.89 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LV-13	文件：360.89 Kbytes Page：6 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d63/marking.html">D63；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ? Dual N-Channel MOSFET ? Low On-Resistance ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? ESD Protected up to 2kV ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AEC-Q101 St 文件：360.89 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LV-7	文件：360.89 Kbytes Page：6 Pages	絲印：D63；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ? Dual N-Channel MOSFET ? Low On-Resistance ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? ESD Protected up to 2kV ? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ? Qualified to AEC-Q101 St 文件：360.89 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1L-13	文件：534.82 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.82 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1L-7	文件：534.82 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.82 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
DMN63D1LDW	文件：537.37 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：537.37 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES

技術(shù)參數(shù)

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.38 A
PD @ TA = +25°C：
0.56 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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