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          DMN32D2LFB4-7

          N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

          Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features ? Low On-Resistance ? Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V Max ? Low Input Capacitance ? Fast

          文件:196.73 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          DIODES

          美臺(tái)半導(dǎo)體

          DMN32D2LFB4-7

          N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

          文件:185.86 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          DIODES

          美臺(tái)半導(dǎo)體

          DMN32D2LFB4-7B

          N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

          文件:185.86 Kbytes 頁(yè)數(shù):5 Pages

          DIODES

          美臺(tái)半導(dǎo)體

          DMN3404L-7

          SOT23

          DIODES

          美臺(tái)半導(dǎo)體

          上傳:深圳市恒諾芯科技有限公司

          DMN3730U-7

          SOT-23-3

          DIODES/美臺(tái)

          詳細(xì)參數(shù)

          • 型號(hào):

            DMN32D2LFB4-7

          • 功能描述:

            MOSFET 350mW 30Vdss

          • RoHS:

          • 制造商:

            STMicroelectronics

          • 晶體管極性:

            N-Channel

          • 汲極/源極擊穿電壓:

            650 V

          • 閘/源擊穿電壓:

            25 V

          • 漏極連續(xù)電流:

            130 A 電阻汲極/源極

          • RDS(導(dǎo)通):

            0.014 Ohms

          • 配置:

            Single

          • 安裝風(fēng)格:

            Through Hole

          • 封裝/箱體:

            Max247

          • 封裝:

            Tube

          供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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          DIODES
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          更多DMN32D2LFB4-7供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-20 20:45:00
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