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|---|---|---|---|---|
DMN3016LPS | Low Input Capacitance 文件：400.3 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI? 文件：400.3 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | ||
Low Input Capacitance 文件：400.3 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | DIODES 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | ||
DMN3016LPS | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\n\t\n\t\tLow Input Capacitance\n\t\n\t\tFast Switching Speed\n\t\n\t\t<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications\n\t\n\t\tTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant?\n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Device?\n\t\n\t\tQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliab; | Diodes 美臺半導(dǎo)體 | Diodes |
技術(shù)參數(shù)
- Automotive Compliant PPAP：
No
- Polarity：
N
- ESD Diodes：
No
- VDS：
30 V
- VGS：
20 ±V
- IDS @ TA = +25°C：
10.8 A
- PD @ TA = +25°C：
2.75 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
12 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
16 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
- VGS (th) Max：
2 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
11.3 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
25.1 nC
- Packages：
PowerDI5060-8
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美臺 |
25+ |
DFN56-8 |
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DIODES/美臺 |
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POWERDI5060-8 |
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
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- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
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- TL074
- TL074
