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    DMN3016LDV

    DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:423.38 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導體

    DMN3016LDV-13

    DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:423.38 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導體

    DMN3016LDV-7

    DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:423.38 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺半導體

    DMN3016LDV

    DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;

    Diodes

    美臺半導體

    技術(shù)參數(shù)

    • Automotive Compliant PPAP:

      No

    • Polarity:

      N

    • ESD Diodes:

      No

    • VDS:

      30 V

    • VGS:

      20 ±V

    • IDS @ TA = +25°C:

      N/A A

    • PD @ TA = +25°C:

      1.8 W

    • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

      12 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

      17 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

      N/A mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

      N/A mΩ

    • VGS (th) Max:

      2 V

    • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

      9.5 nC

    • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

      21 nC

    • Packages:

      PowerDI3333-8 (Type UXC)

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多DMN3016LDV供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 15:01:00

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