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    DMN1029UFDB

    N-CHANNEAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:449.84 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMN1029UFDB-13

    N-CHANNEAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:449.84 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMN1029UFDB-7

    N-CHANNEAL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:449.84 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMN1029UFDB

    DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

    Diodes

    美臺半導(dǎo)體

    技術(shù)參數(shù)

    • Automotive Compliant PPAP:

      No

    • Polarity:

      N+N

    • ESD Diodes:

      No

    • VDS:

      12 V

    • VGS:

      N/A ±V

    • IDS @ TA = +25°C:

      5.6 A

    • PD @ TA = +25°C:

      1.4 W

    • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

      N/A mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

      29 mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

      N/A mΩ

    • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

      44 mΩ

    • VGS (th) Max:

      1 V

    • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

      10.5 nC

    • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

      N/A nC

    • Packages:

      U-DFN2020-6 (Type B)

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多DMN1029UFDB供應(yīng)商 更新時間2026-1-22 20:02:00

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