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    DMG4N65CT

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:279.21 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMG4N65CT

    isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:305.63 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    ISC

    無錫固電

    DMG4N65CT_15

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:279.2 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMG4N65CTI

    isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:296.3 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    ISC

    無錫固電

    DMG4N65CTI

    Low Input Capacitance

    文件:327.11 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMG4N65CTI_15

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    文件:327.11 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

    DIODES

    美臺半導(dǎo)體

    DMG4N65CT

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    DIODES has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process , This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suit

    Diodes

    美臺半導(dǎo)體

    DMG4N65CTI

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    DIODES has been fabricated using an\nadvanced high voltage MOSFET process ,\nThis advanced technology has been especially tailored to minimize\non-state resistance, provide superior switching performance,\nand withstand high energy pulse in the avalanche and\ncommutation mode. These devices are well

    Diodes

    美臺半導(dǎo)體

    技術(shù)參數(shù)

    • AutomotiveCompliantPPAP:

      No

    • Polarity:

      N

    • ESDDiodes:

      No

    • VDS:

      650V

    • VGS:

      30±V

    • IDS@TA=+25°C:

      4A

    • PD@TA=+25°C:

      2.19W

    • RDS(ON)Max@VGS(10V):

      3000mΩ

    • RDS(ON)Max@VGS(4.5V):

      N/AmΩ

    • RDS(ON)Max@VGS(2.5V):

      N/AmΩ

    • RDS(ON)Max@VGS(1.8V):

      N/AmΩ

    • VGS(th)Max:

      5V

    • QGTyp@VGS=4.5V(nC):

      N/AnC

    • QGTyp@VGS=10V(nC):

      13.5nC

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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    32500
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    更多DMG4N65CT供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 14:16:00

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