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    DGD2101MS8-13

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/dgd21012/marking.html">DGD21012;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

    Features - Floating High-Side Driver in Bootstrap Operation to 600V - Drives Two N-Channel MOSFETs or IGBTs in High-Side / Low-Side Configuation - Outputs Tolerant to Negative Transients - Wide Low-Side Gate Driver and Logic Supply: 10V to 20V - Logic Inputs CMOS and TTL Compatible (Down to 3

    文件:1.2792 Mbytes 頁(yè)數(shù):11 Pages

    DIODES

    美臺(tái)半導(dǎo)體

    DGD2101MS8-13

    HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER

    文件:1.34399 Mbytes 頁(yè)數(shù):11 Pages

    DIODES

    美臺(tái)半導(dǎo)體

    DGD2101MS8-13

    Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K

    DIODES

    美臺(tái)半導(dǎo)體

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      DGD2101MS8-13

    • 制造商:

      Diodes Incorporated

    • 類別:

      集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • 驅(qū)動(dòng)配置:

      高壓側(cè)或低壓側(cè)

    • 通道類型:

      獨(dú)立式

    • 柵極類型:

      IGBT,N 溝道 MOSFET

    • 電壓 - 供電:

      10V ~ 20V

    • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

      0.8V,2.5V

    • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

      290mA,600mA

    • 輸入類型:

      非反相

    • 上升/下降時(shí)間(典型值):

      70ns,35ns

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 125°C(TA)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      8-SO

    • 描述:

      IC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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    更多DGD2101MS8-13供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 20:01:00

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