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絲印:DBPT6;Package:SOT-23;Generation VTechnology Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件:428.71 Kbytes 頁數(shù):6 Pages | UMW 友臺半導體 | UMW | ||
絲?。?strong>DBPT6;Package:SOT-23;MOSFET Features Generation VTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint Low Profile( 文件:388.16 Kbytes 頁數(shù):6 Pages | EVVOSEMI 翊歐 | EVVOSEMI |
詳細參數(shù)
- 型號:
DBPT6
- 功能描述:
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2019+ |
SOT23 |
36000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
詢價 | ||
IR |
2021+ |
SOT-23 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOT-23 |
6370 |
新進庫存/原裝 |
詢價 | ||
IR |
0019+ |
SOT-23 |
9000 |
原裝 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
SOT23 |
6000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
3340 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
IRF |
SOT23 |
100 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談 |
詢價 | |||
IR |
16+ |
SOT-23 |
87000 |
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥! |
詢價 |
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