| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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絲印：D113ES；Package：SPT/SC-72；Digital transistors (built-in resistors) VCC 50V IC(MAX.) 500mA R1 1k? R2 1k? Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 1kW. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors（see inner circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film r 文件：71.67 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d113zs/marking.html">D113ZS；Package：SPT/SC-72；Digital transistors (built-in resistors) VCC 50V IC(MAX.) 500mA R1 1k? R2 10k? Features 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see innner circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with 文件：77.05 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d113es/marking.html">D113ES；Package：SC-43A；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Features * Built-in bias resistors * Simplifies circuit design * 500 mA output current capability * Reduces component count * Reduces pick and place costs * ±10 resistor ratio tolerance 文件：245.79 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d113es/marking.html">D113ES；Package：SPT/SC-72；500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：74.11 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d113zs/marking.html">D113ZS；Package：SPT/SC-72；500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：76.11 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ROHM 羅姆 | ROHM | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d113es/marking.html">D113ES；Package：SOT-54；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k-ohm, R2 = 1 k-ohm 文件：67.02 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | PHI PHI | PHI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d113es/marking.html">D113ES；Package：SOT-54；NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 文件：131.74 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages | 恩XP | 恩XP | ||
二極管盤 D1131SH IGCT 二極管盤組裝在高可靠性、堅固且密封的陶瓷外殼中，直徑為 120 毫米，高度為 26 毫米。 ? 完全阻斷能力 50/60 Hz\n? 高直流阻斷穩(wěn)定性\n? 高浪涌電流能力\n? 高外殼不斷裂電流\n? 軟關(guān)斷行為; | Infineon 英飛凌 | Infineon | ||
Silicon NPN Triple Diffused Application\nLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858 | Renesas 瑞薩 | Renesas | ||
Silicon NPN Triple Diffused Application\nLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858 | HITACHI 日立 | HITACHI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
200V
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-91
- vtest：
200
- htest：
999900
- atest：
0
- wtest：
30
技術(shù)參數(shù)
- IFAVM/TC [A/°C](@180° el sin)：
1100/85
- rT [m?](@Tvj max) max：
1.364
- RthJC [K/kW](@DC) max：
7.5
- Tvj [°C]max：
140
- VF/IF [V/kA](@Tvj max)：
4
- VR(D) [kV](@TC = 25°)：
3.2
- VRRM [V]：
6500
- VRRMmax：
6500 V
- VT0 [V](@Tvj max) max：
2.19
- Clamping force [kn]：
36 to 52
- Housing：
Disc dia 120mm height 26mm / Ceramic
- Configuration：
IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
23+ |
TO-220 |
4200 |
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詢價 | ||
日立 |
24+ |
TO-220 |
8866 |
詢價 | |||
TO220/ |
1690 |
全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢 |
詢價 | ||||
24+ |
NA |
5645 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存! |
詢價 | |||
MPD |
SIP6 |
6688 |
15 |
現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價 | ||
INFINEON |
25+ |
SMD |
7 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
MPD |
23+ |
SIP6 |
8160 |
原廠原裝 |
詢價 | ||
HITACH |
23+ |
TO-220 |
3000 |
原裝正品假一罰百!可開增票! |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
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