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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/88539n/marking.html">88539N；Package：SOIC(D)；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features ? Ultra-Low Qg and Qgd ? Avalanche Rated ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Half Bridge for Motor Control ? Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET? power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15809 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features ? Ultra-Low Qg and Qgd ? Avalanche Rated ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Half Bridge for Motor Control ? Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET? power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15809 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/88539n/marking.html">88539N；Package：SOIC；CSD88539ND Dual 60 V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features ? Ultra-Low Qg and Qgd ? Avalanche Rated ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Half Bridge for Motor Control ? Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 23 mΩ NexFET? power MOSFET is designed to serve as a half bridge in lowcurren 文件：1.15471 Mbytes 頁數(shù)：14 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD88539ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：985.96 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：961.16 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：961.16 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD88539ND | 采用 SO-8 封裝的雙路、28mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計運行為低電流電機控制應用中的半橋。 頂視圖 RθJA = 60°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅過渡墊片上測得的典型值脈沖持續(xù)時間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 雪崩額定值\n? 無鉛\n? 符合 RoHS 環(huán)保標準\n? 無鹵素; | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Dual
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
28
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
46
- QG typ (nC)：
14
- QGD typ (nC)：
2.3
- Package (mm)：
SO-8
- VGS (V)：
20
- VGSTH typ (V)：
3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
11.7
- ID - package limited (A)：
15
- Logic level：
No
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
20+ |
原廠包裝 |
7500 |
MOSFET 原裝正品,疫情期間價格特惠 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
2223+ |
SOP8 |
27500 |
A3-7貨柜原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
TI(德州儀器) |
2511 |
N/A |
6000 |
電子元器件采購降本 30%!公司原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
SOP8 |
32360 |
TI/德州儀器全新特價CSD88539ND即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
TI |
21+ |
SOP8 |
5000 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價 | ||
TI |
23+ |
SOIC-8 |
30000 |
全新原裝正品 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
15+ |
SOIC8 |
70 |
進口原裝公司現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
SOIC(D)-8 |
24000 |
TI正規(guī)渠道只做原裝假一罰十 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
SOP8 |
14500 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
TI |
25+ |
SOP8 |
5600 |
全新原裝公司現(xiàn)貨銷售！ |
詢價 |
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