絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/88537n/marking.html">88537N；Package：SOIC(D)；CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Avalanche Rated ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Half Bridge for Motor Control ? Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET? power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low c

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CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Avalanche Rated ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Half Bridge for Motor Control ? Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET? power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low c

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絲印：88537N；Package：SOIC；CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Avalanche Rated ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Half Bridge for Motor Control ? Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET? power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low c

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CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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采用 SO-8 封裝的雙路、15mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款雙路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低電流電機控制應用中的半橋。 頂視圖要了解所有可用封裝，請見數(shù)據表末尾的可訂購產品附錄。 RθJA = 60°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅焊盤上測得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W，脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 雪崩額定值\n? 無鉛 \n? 符合 RoHS 環(huán)保標準\n? 無鹵素;

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