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CSD87503Q3E | CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features 1? Dual N-Ch Common Source MOSFETs ? Optimized for 5-V Gate Drive ? Low-Thermal Resistance ? Low Qg and Qgd ? Lead-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications ? USB Type-C/PD VBus Protection ? Battery Protection 文件：770.6 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD87503Q3E | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/87503e/marking.html">87503E；Package：VSON；30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：485.89 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/87503e/marking.html">87503E；Package：VSON；CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features 1? Dual N-Ch Common Source MOSFETs ? Optimized for 5-V Gate Drive ? Low-Thermal Resistance ? Low Qg and Qgd ? Lead-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications ? USB Type-C/PD VBus Protection ? Battery Protection 文件：770.6 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/87503e/marking.html">87503E；Package：VSON；CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features 1? Dual N-Ch Common Source MOSFETs ? Optimized for 5-V Gate Drive ? Low-Thermal Resistance ? Low Qg and Qgd ? Lead-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications ? USB Type-C/PD VBus Protection ? Battery Protection 文件：770.6 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/87503e/marking.html">87503E；Package：VSON；30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：485.89 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD87503Q3E | 采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、21.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源極、雙路 N 溝道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏極至漏極導通電阻，可最大限度地較少損耗，且具有較少的組件數(shù)量，適用于空間受限的 應用。 ? 雙 N 溝道共源極 MOSFET\n? 針對 5V 柵極驅(qū)動器進行了優(yōu)化\n? 低熱阻\n? 低 Qg 和 Qgd\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 標準\n? 無鹵素\n? 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝; | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Dual Common Source
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
21.9
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
89
- QG typ (nC)：
13.4
- QGD typ (nC)：
5.8
- Package (mm)：
SON3x3
- VGS (V)：
20
- VGSTH typ (V)：
1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
10
- ID - package limited (A)：
10
- Logic level：
Yes
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
DFN-8 |
3675 |
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詢價 | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
VSON-8 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單! |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
VSON8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
TI |
25+ |
VSON8 |
8880 |
原裝認準芯澤盛世！ |
詢價 | ||
TI |
25+ |
(DTD) |
6000 |
原廠原裝,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
23+ |
VSON8 |
23047 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
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TI/德州儀器 |
1740+ |
SON8 |
1137 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
TI德州儀器 |
22+ |
24000 |
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Texas Instruments |
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8-VSON(3.3x3.3) |
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TI/德州儀器 |
24+ |
VSON8 |
24512 |
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- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
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- TL074
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