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    CSD87501L
    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd87501/marking.html">CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET? Power MOSFET
    
1 Features
1? Low on-resistance
? Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm
? Ultra-low profile – 0.2-mm high
? Lead free
? RoHS compliant
? Halogen free
? Gate ESD protection

2 Applications
? Battery management
? Battery protection
? USB Type-C / PD

3 Description
This 30-V, 6.6-mΩ, 3.
    文件：1.03668 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501L
    CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET
    文件：896.01 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501L.B
    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd87501/marking.html">CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET? Power MOSFET
    
1 Features
1? Low on-resistance
? Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm
? Ultra-low profile – 0.2-mm high
? Lead free
? RoHS compliant
? Halogen free
? Gate ESD protection

2 Applications
? Battery management
? Battery protection
? USB Type-C / PD

3 Description
This 30-V, 6.6-mΩ, 3.
    文件：1.03668 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501LT
    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd87501/marking.html">CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET? Power MOSFET
    
1 Features
1? Low on-resistance
? Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm
? Ultra-low profile – 0.2-mm high
? Lead free
? RoHS compliant
? Halogen free
? Gate ESD protection

2 Applications
? Battery management
? Battery protection
? USB Type-C / PD

3 Description
This 30-V, 6.6-mΩ, 3.
    文件：1.03668 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501LT.B
    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd87501/marking.html">CSD87501；Package：PICOSTAR；CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET? Power MOSFET
    
1 Features
1? Low on-resistance
? Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm
? Ultra-low profile – 0.2-mm high
? Lead free
? RoHS compliant
? Halogen free
? Gate ESD protection

2 Applications
? Battery management
? Battery protection
? USB Type-C / PD

3 Description
This 30-V, 6.6-mΩ, 3.
    文件：1.03668 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501L_15
    CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET
    文件：896.01 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501LT
    CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET
    文件：896.01 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages
    TI
    德州儀器
    

    CSD87501L
    采用 LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙路共漏極、5.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
    此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 雙路 NexFET?功率 MOSFET 旨在以小外形封裝最大程度地降低電阻和柵極電荷。該器件具有小尺寸和共漏極配置，非常適用于多節(jié)電池組 應(yīng)用 和小型手持設(shè)備。\n\n \n\n   ? 低導(dǎo)通電阻\n? 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸\n? 超薄 – 高 0.2mm\n? 無鉛\n? 符合 RoHS\n? 無鹵素\n? 柵極 ESD 保護(hù);
    TI
    德州儀器
    

    
            
    
		
        
    
            
    
                
    技術(shù)參數(shù)
    
            
    
            
      
            	
    • Configuration：
      Dual Common Drain
    • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
      5.5
    • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
      3.9
    • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
      72
    • QG typ (nC)：
      15
    • QGD typ (nC)：
      6
    • Package (mm)：
      LGA 3.4x1.5mm
    • VGS (V)：
      20
    • VGSTH typ (V)：
      1.8
    • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
      14
    • ID - package limited (A)：
      14
    • Logic level：
      Yes
    
            
    
        
    
            
    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    
                
    



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            更新時間2026-1-22 8:49:00
        
    
        
    
          
    
            
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