絲印：87312E；Package：VSON；Dual 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1FEATURES ? Common Source Connection ? Ultra Low Drain to Drain On-Resistance ? Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package ? Optimized for 5V Gate Drive ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Pb Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free APPLICATIONS ? Adaptor/USB

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Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/87312e/marking.html">87312E；Package：VSON；Dual 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1FEATURES ? Common Source Connection ? Ultra Low Drain to Drain On-Resistance ? Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package ? Optimized for 5V Gate Drive ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Pb Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free APPLICATIONS ? Adaptor/USB

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采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、38mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD87312Q3E 是一款設(shè)計(jì)用于適配器 / USB 輸入保護(hù)的 30V 共源、雙路 N 通道器件。 此類(lèi) SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏極到漏極導(dǎo)通電阻，這大大減少了損耗并且為空間受限的多節(jié)電池充電類(lèi)應(yīng)用提供低組件數(shù)量。 R=63°C/W，這是在厚度為 0.060\" 的環(huán)氧板印刷電路板 (FR4PCB) 上 1 in2（2 盎司）銅過(guò)渡墊片上測(cè)得的典型值脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。 ? 共源連接\n? 超低漏極到漏極導(dǎo)通電阻\n? 節(jié)省空間的小外形尺寸無(wú)引線 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封裝\n? 針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化\n? 低熱阻\n? 雪崩級(jí)\n? 無(wú)鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無(wú)鹵素;

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