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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CSD75207W15	文件：809.99 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/75207/marking.html">75207；Package：DSBGA；CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Dual P-Channel MOSFETs ? Common Source Configuration ? Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm ? Gate-Source Voltage Clamp ? Gate ESD Protection >4 kV – HBM JEDEC standard JESD22-A114 ? Pb and Halogen Free ? RoHS Compliant 2 Applications ? Battery Management ? Battery Protection 文件：809.99 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD75207W15	文件：1.2995 Mbytes Page：12 Pages	Dual P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.2995 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD75207W15	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙路共源極、27mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD75207W15 器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運(yùn)行的空間受限應(yīng)用。此器件也已經(jīng)被授予美國專利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。 ? 雙路 P 通道 MOSFET\n? 小型封裝尺寸 1.5mm x 1.5mm\n? 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù)大于 4kV \n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);	TI 德州儀器	TI
CSD75207W15.B	文件：809.99 Kbytes Page：11 Pages	絲印：75207；Package：DSBGA；CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Dual P-Channel MOSFETs ? Common Source Configuration ? Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm ? Gate-Source Voltage Clamp ? Gate ESD Protection >4 kV – HBM JEDEC standard JESD22-A114 ? Pb and Halogen Free ? RoHS Compliant 2 Applications ? Battery Management ? Battery Protection 文件：809.99 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI

技術(shù)參數(shù)

VGS (V)：
-6
Configuration：
Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
27
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
39
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
81
Id peak (Max) (A)：
-24
Id max cont (A)：
-3.9
QG typ (nC)：
2.9
QGD typ (nC)：
0.4
QGS typ (nC)：
0.7
VGSTH typ (V)：
-0.8
Package (mm)：
WLP 1.5x1.5

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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