CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET

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德州儀器

20 V, P-Channel FemtoFE MOSFET

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采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、245mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 210mΩ，20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被設(shè)計且被優(yōu)化，以最大限度地減少多種手持式和移動類應(yīng)用中的封裝尺寸。 這個技術(shù)能夠在將封裝尺寸至少減少 60% 的同時，替代標(biāo)準(zhǔn)的小信號 MOSFET。 ? 超低導(dǎo)通電阻\n? 高運行漏極電流\n? 1.0mm × 0.6mm\n? 超薄 \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護二極管 \n? 額定值 > 2kV 充電器件模型 (CDM)\n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);

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