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CSD23382F4 | CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36-mm maximum height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Pb terminal plating ? Halogen free ? RoHS compliant 2 App 文件:1.15368 Mbytes 頁數(shù):14 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD23382F4 | 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件:761.16 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD23382F4 | 采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、76mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 此 66mΩ,12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被設計且被優(yōu)化,以最大限度地減少多種手持式和移動類應用中的封裝尺寸。 這個技術能夠在將封裝尺寸至少減少 60% 的同時,替代標準的小信號 MOSFET。 ? 低導通電阻\n? 超小型封裝尺寸(0402 外殼尺寸) \n? 低高度 \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護二極管 \n? 額定值 > 2kV 充電器件模型 (CDM)\n? 無鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標準; | TI 德州儀器 | TI | |
CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36-mm maximum height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Pb terminal plating ? Halogen free ? RoHS compliant 2 App 文件:1.15368 Mbytes 頁數(shù):14 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36-mm maximum height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Pb terminal plating ? Halogen free ? RoHS compliant 2 App 文件:1.15368 Mbytes 頁數(shù):14 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD23382F4 12-V P-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36-mm maximum height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 2-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Pb terminal plating ? Halogen free ? RoHS compliant 2 App 文件:1.15368 Mbytes 頁數(shù):14 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件:1.27267 Mbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
12 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件:761.16 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI |
技術參數(shù)
- VGS (V):
-8
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
76
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):
105
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):
199
- Id peak (Max) (A):
-22
- Id max cont (A):
-3.5
- QG typ (nC):
1.04
- QGD typ (nC):
0.15
- QGS typ (nC):
0.5
- VGSTH typ (V):
-0.8
- Package (mm):
LGA 1.0x0.6mm
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
312025 |
原裝正品,現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
TI/德州儀器 |
25+ |
XDFN-3 |
32360 |
TI/德州儀器全新特價CSD23382F4即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
24+ |
PicoStar-3 |
5000 |
全新、原裝 |
詢價 | |||
TI/德州儀器 |
2017 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
2510000 |
XFDFN |
詢價 | ||
TI |
25+ |
LGA1.0X |
5 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
NA |
10658 |
專業(yè)電子元器件供應鏈正邁科技特價代理特價,原裝元器件供應,支持開發(fā)樣品 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
3-XFDFN |
8650 |
受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
TI |
16+ |
PICOSTAR |
10000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
2447 |
3-XFDFN |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
TI |
25+ |
LGA-3 |
3675 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 |
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- PI7C8150B
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- PERICOMPI7C8150
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- WNS40H100CB
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