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CSD23203W | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/23203/marking.html">23203;Package:DSBGA;CSD23203W –8-V P-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low RDS(on) ? Small Footprint ? Low Profile 0.62-mm Height ? Lead Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 16.2-mΩ, – 文件:972.48 Kbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD23203W | 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件:369.96 Kbytes 頁數(shù):12 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD23203W –8-V P-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low RDS(on) ? Small Footprint ? Low Profile 0.62-mm Height ? Lead Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 16.2-mΩ, – 文件:972.48 Kbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/23203/marking.html">23203;Package:DSBGA;CSD23203W –8-V P-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low RDS(on) ? Small Footprint ? Low Profile 0.62-mm Height ? Lead Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 16.2-mΩ, – 文件:972.48 Kbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD23203W –8-V P-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low RDS(on) ? Small Footprint ? Low Profile 0.62-mm Height ? Lead Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? CSP 1-mm × 1.5-mm Wafer Level Package 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 16.2-mΩ, – 文件:972.48 Kbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD23203W 8 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件:1.00932 Mbytes 頁數(shù):17 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
8 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件:369.96 Kbytes 頁數(shù):12 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD23203W | 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件經(jīng)過設(shè)計(jì),能夠以具有出色散熱特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封裝提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低導(dǎo)通電阻 RDS(on) \n? 小尺寸\n? 低厚度,0.62mm 高\(yùn)n? 無鉛\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? CSP 1mm × 1.5mm 晶圓級(jí)封裝; | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- VGS (V):
-6
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
19.4
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms):
26.5
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms):
53
- Id peak (Max) (A):
-54
- Id max cont (A):
-3
- QG typ (nC):
4.9
- QGD typ (nC):
0.6
- QGS typ (nC):
1.3
- VGSTH typ (V):
-0.8
- Package (mm):
WLP 1.0x1.5
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
25+ |
原裝 |
32360 |
TI/德州儀器全新特價(jià)CSD23203W即刻詢購立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
22+ |
DSBGA-6 |
500000 |
原裝現(xiàn)貨支持實(shí)單價(jià)優(yōu)/含稅 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
DSBGA-6 |
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DSBGA |
10000 |
原裝正品 |
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DSBGA |
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TI |
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- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
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